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BDV65BG
- Número de pieza:
- BDV65BG
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descripción:
- TRANS NPN DARL 100V 10A TO247
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 12884 Pieces
- Ficha de datos:
- BDV65BG.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para BDV65BG, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para BDV65BG por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - Colector-emisor (máx): | 100V |
|---|---|
| VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic: | 2V @ 20mA, 5A |
| Tipo de transistor: | NPN - Darlington |
| Paquete del dispositivo: | TO-247 |
| Serie: | - |
| Potencia - Max: | 125W |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-247-3 |
| Otros nombres: | BDV65BG-ND BDV65BGOS |
| Temperatura de funcionamiento: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 2 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | BDV65BG |
| Frecuencia - Transición: | - |
| Descripción ampliada: | Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 10A 125W Through Hole TO-247 |
| Descripción: | TRANS NPN DARL 100V 10A TO247 |
| DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce: | 1000 @ 5A, 4V |
| Corriente - corte del colector (Max): | 1mA |
| Corriente - colector (Ic) (Max): | 10A |
| Email: | [email protected] |
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