BAS16TT1G
BAS16TT1G
Número de pieza:
BAS16TT1G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
DIODE GEN PURP 100V 200MA SC75
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18845 Pieces
Ficha de datos:
BAS16TT1G.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - directo (Vf) (Max) Si @:1.25V @ 150mA
Voltaje - Inverso (Vr) (máx):100V
Paquete del dispositivo:SC-75, SOT-416
Velocidad:Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Serie:-
Tiempo de recuperación inversa (trr):6ns
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:SC-75, SOT-416
Otros nombres:BAS16TT1G-ND
BAS16TT1GOSTR
Temperatura de funcionamiento - Junction:-55°C ~ 150°C
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:8 Weeks
Número de pieza del fabricante:BAS16TT1G
Descripción ampliada:Diode Standard 100V 200mA (DC) Surface Mount SC-75, SOT-416
Tipo de diodo:Standard
Descripción:DIODE GEN PURP 100V 200MA SC75
Corriente - Fuga inversa a Vr:1µA @ 75V
Corriente - rectificada media (Io):200mA (DC)
Capacitancia Vr, F:2pF @ 0V, 1MHz
Email:[email protected]

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