AUIRLR120N
Número de pieza:
AUIRLR120N
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15891 Pieces
Ficha de datos:
AUIRLR120N.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:D-PAK (TO-252AA)
Serie:HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:185 mOhm @ 6A, 10V
La disipación de energía (máximo):48W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres:SP001521880
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:AUIRLR120N
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:440pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:20nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 100V 10A (Tc) 48W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252AA)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:100V
Descripción:MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:10A (Tc)
Email:[email protected]

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