Comprar AUIRF2903ZS con BYCHPS
Compre con garantía
AUIRF2903ZS
- Número de pieza:
- AUIRF2903ZS
- Descripción:
- MOSFET N-CH 30V 235A D2PAK
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 18933 Pieces
- Ficha de datos:
- AUIRF2903ZS.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para AUIRF2903ZS, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para AUIRF2903ZS por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 4V @ 150µA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | D2PAK |
| Serie: | HEXFET® |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 2.4 mOhm @ 75A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 231W (Tc) |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Otros nombres: | SP001518498 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | AUIRF2903ZS |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 6320pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 240nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 30V 160A (Tc) 231W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 30V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 30V 235A D2PAK |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 160A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de AUIRF2903ZS
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
AUIRF2903Z | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 260A TO-220AB | Investigación |
 |
AUIRF2804STRL7P | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 320A D2PAK-7 | Investigación |
 |
AUIRF2804WL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 295A TO262WL | Investigación |
 |
AUIRF2804STRL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK | Investigación |
|
AUIRF2903ZSTRL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 235A D2PAK | Investigación |
|
AUIRF2907ZS7PTL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 180A D2PAK-7 | Investigación |
|
AUIRF2907Z | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB | Investigación |
|
AUIRF2804S-7P | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7 | Investigación |
 |
AUIRF2903ZL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 235A TO-262 | Investigación |
|
AUIRF2804L | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 195A TO262 | Investigación |
|
AUIRF2804S | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK | Investigación |
|
AUIRF2805S | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 135A D2PAK | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog