AUIRF1018E
AUIRF1018E
Número de pieza:
AUIRF1018E
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 79A TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12569 Pieces
Ficha de datos:
AUIRF1018E.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 100µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-220AB
Serie:HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:8.4 mOhm @ 47A, 10V
La disipación de energía (máximo):110W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3
Otros nombres:SP001519520
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:13 Weeks
Número de pieza del fabricante:AUIRF1018E
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2290pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:69nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 60V 79A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220AB
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:60V
Descripción:MOSFET N-CH 60V 79A TO-220AB
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:79A (Tc)
Email:[email protected]

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