ATP114-TL-H
ATP114-TL-H
Número de pieza:
ATP114-TL-H
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET P-CH 60V 55A ATPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17710 Pieces
Ficha de datos:
ATP114-TL-H.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:-
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:ATPAK
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:16 mOhm @ 28A, 10V
La disipación de energía (máximo):60W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:ATPAK (2 leads+tab)
Otros nombres:ATP114-TL-H-ND
ATP114-TL-HOSTR
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:24 Weeks
Número de pieza del fabricante:ATP114-TL-H
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:4000pF @ 20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:92nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 60V 55A (Ta) 60W (Tc) Surface Mount ATPAK
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:60V
Descripción:MOSFET P-CH 60V 55A ATPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:55A (Ta)
Email:[email protected]

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