APTGT50DH60T1G
Número de pieza:
APTGT50DH60T1G
Fabricante:
Microsemi
Descripción:
MOD IGBT 600V 80A SP1
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15665 Pieces
Ficha de datos:
APTGT50DH60T1G.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - Colector-emisor (máx):600V
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic:1.9V @ 15V, 50A
Paquete del dispositivo:SP1
Serie:-
Potencia - Max:176W
Paquete / Cubierta:SP1
Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 175°C (TJ)
termistor NTC:Yes
Tipo de montaje:Chassis Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:22 Weeks
Número de pieza del fabricante:APTGT50DH60T1G
Capacitancia de entrada (CIES) @ Vce:3.15nF @ 25V
Entrada:Standard
Tipo de IGBT:Trench Field Stop
Descripción ampliada:IGBT Module Trench Field Stop Asymmetrical Bridge 600V 80A 176W Chassis Mount SP1
Descripción:MOD IGBT 600V 80A SP1
Corriente - corte del colector (Max):250µA
Corriente - colector (Ic) (Max):80A
Configuración:Asymmetrical Bridge
Email:[email protected]

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