APT45GR65BSCD10
Número de pieza:
APT45GR65BSCD10
Fabricante:
Microsemi
Descripción:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19115 Pieces
Ficha de datos:
APT45GR65BSCD10.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - Colector-emisor (máx):650V
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic:2.4V @ 15V, 45A
Condición de prueba:433V, 45A, 4.3 Ohm, 15V
Td (encendido / apagado) @ 25 ° C:15ns/100ns
Paquete del dispositivo:TO-247
Serie:-
Tiempo de recuperación inversa (trr):80ns
Potencia - Max:543W
embalaje:Bulk
Paquete / Cubierta:TO-247-3
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:22 Weeks
Número de pieza del fabricante:APT45GR65BSCD10
Tipo de entrada:Standard
Tipo de IGBT:NPT
puerta de carga:203nC
Descripción ampliada:IGBT NPT 650V 118A 543W Through Hole TO-247
Descripción:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Corriente - Colector Pulsada (ICM):224A
Corriente - colector (Ic) (Max):118A
Email:[email protected]

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