APT22F100J
APT22F100J
Número de pieza:
APT22F100J
Fabricante:
Microsemi
Descripción:
MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15919 Pieces
Ficha de datos:
1.APT22F100J.pdf2.APT22F100J.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:-
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:ISOTOP®
Serie:POWER MOS 8™
RDS (Max) @Id, Vgs:380 mOhm @ 18A, 10V
La disipación de energía (máximo):545W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:SOT-227-4, miniBLOC
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Chassis Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:22 Weeks
Número de pieza del fabricante:APT22F100J
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:9835pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:305nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 1000V (1kV) 23A 545W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:1000V (1kV)
Descripción:MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:23A
Email:[email protected]

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