APT10SCD65KCT
APT10SCD65KCT
Número de pieza:
APT10SCD65KCT
Fabricante:
Microsemi
Descripción:
DIODE SILICON 650V 17A TO220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
13213 Pieces
Ficha de datos:
APT10SCD65KCT.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - directo (Vf) (Max) Si @:1.8V @ 10A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx):650V
Paquete del dispositivo:TO-220 [K]
Velocidad:No Recovery Time > 500mA (Io)
Serie:-
Tiempo de recuperación inversa (trr):0ns
embalaje:Bulk
Paquete / Cubierta:TO-220-2
Temperatura de funcionamiento - Junction:-55°C ~ 150°C
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:22 Weeks
Número de pieza del fabricante:APT10SCD65KCT
Descripción ampliada:Diode Silicon Carbide Schottky 650V 17A Through Hole TO-220 [K]
Tipo de diodo:Silicon Carbide Schottky
Descripción:DIODE SILICON 650V 17A TO220
Corriente - Fuga inversa a Vr:200µA @ 650V
Corriente - rectificada media (Io):17A
Capacitancia Vr, F:300pF @ 1V, 1MHz
Email:[email protected]

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