AOW15S65
AOW15S65
Número de pieza:
AOW15S65
Fabricante:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 15A TO262
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12422 Pieces
Ficha de datos:
1.AOW15S65.pdf2.AOW15S65.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-262
Serie:aMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:290 mOhm @ 7.5A, 10V
La disipación de energía (máximo):208W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Otros nombres:AOW15S65-ND
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:16 Weeks
Número de pieza del fabricante:AOW15S65
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:841pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:17.2nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 650V 15A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-262
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:650V
Descripción:MOSFET N-CH 650V 15A TO262
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:15A (Tc)
Email:[email protected]

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