AOT482L
Número de pieza:
AOT482L
Fabricante:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descripción:
MOSFET N-CH 80V 11A TO220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16510 Pieces
Ficha de datos:
1.AOT482L.pdf2.AOT482L.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3.7V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-220
Serie:SDMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:7.2 mOhm @ 20A, 10V
La disipación de energía (máximo):2.1W (Ta), 333W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:16 Weeks
Número de pieza del fabricante:AOT482L
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:4870pF @ 40V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:81nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 80V 11A (Ta), 105A (Tc) 2.1W (Ta), 333W (Tc) Through Hole TO-220
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:80V
Descripción:MOSFET N-CH 80V 11A TO220
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:11A (Ta), 105A (Tc)
Email:[email protected]

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