AOT42S60L
Número de pieza:
AOT42S60L
Fabricante:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 39A TO220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16035 Pieces
Ficha de datos:
1.AOT42S60L.pdf2.AOT42S60L.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3.8V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-220
Serie:aMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:99 mOhm @ 21A, 10V
La disipación de energía (máximo):417W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3
Otros nombres:AOT42S60L-ND
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:16 Weeks
Número de pieza del fabricante:AOT42S60L
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2154pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:40nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 600V 37A (Tc) 417W (Tc) Through Hole TO-220
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:600V
Descripción:MOSFET N-CH 600V 39A TO220
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:37A (Tc)
Email:[email protected]

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