AOT262L
Número de pieza:
AOT262L
Fabricante:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 20A TO220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12951 Pieces
Ficha de datos:
1.AOT262L.pdf2.AOT262L.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3.2V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-220
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:3 mOhm @ 20A, 10V
La disipación de energía (máximo):2.1W (Ta), 333W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3
Otros nombres:785-1413-5
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:16 Weeks
Número de pieza del fabricante:AOT262L
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:9800pF @ 30V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:115nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 60V 20A (Ta), 140A (Tc) 2.1W (Ta), 333W (Tc) Through Hole TO-220
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:60V
Descripción:MOSFET N-CH 60V 20A TO220
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:20A (Ta), 140A (Tc)
Email:[email protected]

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