AON7702A_101
Número de pieza:
AON7702A_101
Fabricante:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 15A 8DFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
14911 Pieces
Ficha de datos:
AON7702A_101.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.1V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:8-DFN (3x3)
Serie:SRFET™
RDS (Max) @Id, Vgs:10 mOhm @ 13A, 10V
La disipación de energía (máximo):3.1W (Ta), 23W (Tc)
embalaje:Bulk
Paquete / Cubierta:8-PowerVDFN
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 155°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:AON7702A_101
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1400pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:24nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:Schottky Diode (Body)
Descripción ampliada:N-Channel 30V 13.5A (Ta), 36A (Tc) 3.1W (Ta), 23W (Tc) Surface Mount 8-DFN (3x3)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET N-CH 30V 15A 8DFN
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:13.5A (Ta), 36A (Tc)
Email:[email protected]

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