AON7532E
AON7532E
Número de pieza:
AON7532E
Fabricante:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 28A 8DFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19484 Pieces
Ficha de datos:
1.AON7532E.pdf2.AON7532E.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.2V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:8-DFN (2.9x2.3)
Serie:AlphaMOS
RDS (Max) @Id, Vgs:3.5 mOhm @ 20A, 10V
La disipación de energía (máximo):5W (Ta), 28W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-SMD, Flat Lead
Otros nombres:785-1678-2
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:16 Weeks
Número de pieza del fabricante:AON7532E
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1950pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:40nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 30V 30.5A (Ta), 28A (Tc) 5W (Ta), 28W (Tc) Surface Mount 8-DFN (2.9x2.3)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET N-CH 30V 28A 8DFN
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:30.5A (Ta), 28A (Tc)
Email:[email protected]

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