AON4407L
Número de pieza:
AON4407L
Fabricante:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descripción:
MOSFET P-CH DFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16792 Pieces
Ficha de datos:
AON4407L.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:850mV @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:8-DFN (3x2)
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:20 mOhm @ 9.5A, 4.5V
La disipación de energía (máximo):2.5W (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-VDFN Exposed Pad
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:AON4407L
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2100pF @ 6V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:23nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 12V 9A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-DFN (3x2)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:12V
Descripción:MOSFET P-CH DFN
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:9A (Ta)
Email:[email protected]

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