AON2707
AON2707
Número de pieza:
AON2707
Fabricante:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descripción:
MOSFET P-CH 30V 4A DFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19210 Pieces
Ficha de datos:
1.AON2707.pdf2.AON2707.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1.5V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:6-DFN-EP (2x2)
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:117 mOhm @ 4A, 10V
La disipación de energía (máximo):2.8W (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:6-WDFN Exposed Pad
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:AON2707
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:305pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:12nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:Schottky Diode (Isolated)
Descripción ampliada:P-Channel 30V 4A (Ta) 2.8W (Ta) Surface Mount 6-DFN-EP (2x2)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET P-CH 30V 4A DFN
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:4A (Ta)
Email:[email protected]

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