AON1606_001
AON1606_001
Número de pieza:
AON1606_001
Fabricante:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descripción:
MOSFET N-CH 20V 0.7A 3DFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15602 Pieces
Ficha de datos:
AON1606_001.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:3-DFN (1.0 x 0.60)
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:275 mOhm @ 400mA, 4.5V
La disipación de energía (máximo):900mW (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:3-UFDFN
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:AON1606_001
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:62.5pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:850nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 20V 700mA (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount 3-DFN (1.0 x 0.60)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción:MOSFET N-CH 20V 0.7A 3DFN
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:700mA (Ta)
Email:[email protected]

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