AOI530
AOI530
Número de pieza:
AOI530
Fabricante:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 70A TO-251
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19972 Pieces
Ficha de datos:
1.AOI530.pdf2.AOI530.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.2V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-251A
Serie:AlphaMOS
RDS (Max) @Id, Vgs:2.7 mOhm @ 20A, 10V
La disipación de energía (máximo):2.5W (Ta), 83W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-251-3 Stub Leads, IPak
Otros nombres:785-1649-5
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:AOI530
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:3130pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:62nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 30V 23A (Ta), 70A (Tc) 2.5W (Ta), 83W (Tc) Through Hole TO-251A
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET N-CH 30V 70A TO-251
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:23A (Ta), 70A (Tc)
Email:[email protected]

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