AOB25S65L
AOB25S65L
Número de pieza:
AOB25S65L
Fabricante:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 25A TO263
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15166 Pieces
Ficha de datos:
1.AOB25S65L.pdf2.AOB25S65L.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-263 (D²Pak)
Serie:aMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:190 mOhm @ 12.5A, 10V
La disipación de energía (máximo):357W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres:AOB25S65L-ND
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:16 Weeks
Número de pieza del fabricante:AOB25S65L
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1278pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:26.4nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 650V 25A (Tc) 357W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:650V
Descripción:MOSFET N-CH 650V 25A TO263
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:25A (Tc)
Email:[email protected]

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