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70T651S10DR
- Número de pieza:
- 70T651S10DR
- Fabricante:
- IDT (Integrated Device Technology)
- Descripción:
- IC SRAM 9MBIT 10NS 208QFP
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Contiene plomo / RoHS no conforme
- Cantidad disponible:
- 14405 Pieces
- Ficha de datos:
- 70T651S10DR.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para 70T651S10DR, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para 70T651S10DR por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Suministro de voltaje: | 2.4 V ~ 2.6 V |
|---|---|
| Paquete del dispositivo: | 208-PQFP (28x28) |
| Velocidad: | 10ns |
| Serie: | - |
| embalaje: | Tray |
| Paquete / Cubierta: | 208-BFQFP |
| Otros nombres: | IDT70T651S10DR IDT70T651S10DR-ND |
| Temperatura de funcionamiento: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tipo de memoria: | Volatile |
| Tamaño de la memoria: | 9Mb (256K x 36) |
| Formato de memoria: | SRAM |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 7 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | 70T651S10DR |
| Interfaz: | Parallel |
| Descripción: | IC SRAM 9MBIT 10NS 208QFP |
| Email: | [email protected] |
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