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5LN01C-TB-E
- Número de pieza:
- 5LN01C-TB-E
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET N-CH 50V 100MA 3CP
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 19868 Pieces
- Ficha de datos:
- 5LN01C-TB-E.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para 5LN01C-TB-E, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para 5LN01C-TB-E por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | - |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±10V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | 3-CP |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 7.8 Ohm @ 50mA, 4V |
| La disipación de energía (máximo): | 250mW (Ta) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Otros nombres: | 5LN01C-TB-E-ND 5LN01C-TB-EOSTR |
| Temperatura de funcionamiento: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | 5LN01C-TB-E |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 6.6pF @ 10V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 1.57nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 50V 100mA (Ta) 250mW (Ta) Surface Mount 3-CP |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 1.5V, 4V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 50V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 50V 100MA 3CP |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 100mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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