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3SK263-5-TG-E
- Número de pieza:
- 3SK263-5-TG-E
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descripción:
- FET RF 15V 200MHZ CP4
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 18625 Pieces
- Ficha de datos:
- 3SK263-5-TG-E.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para 3SK263-5-TG-E, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para 3SK263-5-TG-E por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Voltaje - Prueba: | 6V |
|---|---|
| Tensión - Calificación: | 15V |
| Tipo de transistor: | N-Channel Dual Gate |
| Paquete del dispositivo: | 4-CP |
| Serie: | - |
| Alimentación - Salida: | - |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | SC-82A, SOT-343 |
| Otros nombres: | 3SK263-5-TG-E-ND 3SK263-5-TG-EOSTR |
| Figura de ruido: | 2.2dB |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | 3SK263-5-TG-E |
| Ganancia: | 21dB |
| Frecuencia: | 200MHz |
| Descripción ampliada: | RF Mosfet N-Channel Dual Gate 6V 10mA 200MHz 21dB 4-CP |
| Descripción: | FET RF 15V 200MHZ CP4 |
| Valoración actual: | 30mA |
| Corriente - Prueba: | 10mA |
| Email: | [email protected] |
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