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3N163-E3
- Número de pieza:
- 3N163-E3
- Fabricante:
- Vishay / Siliconix
- Descripción:
- MOSFET P-CH 40V 50MA TO-72
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 17837 Pieces
- Ficha de datos:
- 3N163-E3.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para 3N163-E3, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para 3N163-E3 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 5V @ 10µA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | TO-72 |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 250 Ohm @ 100µA, 20V |
| La disipación de energía (máximo): | 375mW (Ta) |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-206AF, TO-72-4 Metal Can |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | 3N163-E3 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 3.5pF @ 15V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | - |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | P-Channel 40V 50mA (Ta) 375mW (Ta) Through Hole TO-72 |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 40V |
| Descripción: | MOSFET P-CH 40V 50MA TO-72 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 50mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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