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3LP01C-TB-E
- Número de pieza:
- 3LP01C-TB-E
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET P-CH 30V 100MA CP
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 16481 Pieces
- Ficha de datos:
- 3LP01C-TB-E.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para 3LP01C-TB-E, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para 3LP01C-TB-E por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | - |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | 3-CP |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 10.4 Ohm @ 50mA, 4V |
| La disipación de energía (máximo): | 250mW (Ta) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Temperatura de funcionamiento: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | 3LP01C-TB-E |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 7.5pF @ 10V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 1.43nC @ 10V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | P-Channel 30V 100mA (Ta) 250mW (Ta) Surface Mount 3-CP |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 30V |
| Descripción: | MOSFET P-CH 30V 100MA CP |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 100mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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