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3135GN-170M
- Número de pieza:
- 3135GN-170M
- Fabricante:
- Microsemi
- Descripción:
- FETS RF GAN 150V 3.1-3.5GHZ 55QP
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 19367 Pieces
- Ficha de datos:
- 3135GN-170M.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para 3135GN-170M, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para 3135GN-170M por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Voltaje - Prueba: | 60V |
|---|---|
| Tensión - Calificación: | 150V |
| Tipo de transistor: | 2 N-Channel (Dual) Common Source |
| Paquete del dispositivo: | 55QP |
| Serie: | - |
| Alimentación - Salida: | 185W |
| embalaje: | Bulk |
| Paquete / Cubierta: | 55QP |
| Figura de ruido: | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | 3135GN-170M |
| Ganancia: | 11.5dB ~ 11.8dB |
| Frecuencia: | 3.1GHz ~ 3.5GHz |
| Descripción ampliada: | RF Mosfet 2 N-Channel (Dual) Common Source 60V 500mA 3.1GHz ~ 3.5GHz 11.5dB ~ 11.8dB 185W 55QP |
| Descripción: | FETS RF GAN 150V 3.1-3.5GHZ 55QP |
| Valoración actual: | 5mA |
| Corriente - Prueba: | 500mA |
| Email: | [email protected] |
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