2SK4065-DL-1E
2SK4065-DL-1E
Número de pieza:
2SK4065-DL-1E
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 75V 100A
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
13972 Pieces
Ficha de datos:
2SK4065-DL-1E.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:-
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-263-2
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:6 mOhm @ 50A, 10V
La disipación de energía (máximo):1.65W (Ta), 90W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:14 Weeks
Número de pieza del fabricante:2SK4065-DL-1E
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:12200pF @ 20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:220nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 75V 100A (Ta) 1.65W (Ta), 90W (Tc) Surface Mount TO-263-2
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:75V
Descripción:MOSFET N-CH 75V 100A
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:100A (Ta)
Email:[email protected]

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