2SK3565(Q,M)
2SK3565(Q,M)
Número de pieza:
2SK3565(Q,M)
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 900V 5A TO-220SIS
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18816 Pieces
Ficha de datos:
1.2SK3565(Q,M).pdf2.2SK3565(Q,M).pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 1mA
Vgs (Max):±30V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-220SIS
Serie:π-MOSIV
RDS (Max) @Id, Vgs:2.5 Ohm @ 3A, 10V
La disipación de energía (máximo):45W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3 Full Pack
Otros nombres:2SK3565(Q)
2SK3565(Q)-ND
2SK3565Q
2SK3565Q-ND
2SK3565QM
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:2SK3565(Q,M)
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1150pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:28nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 900V 5A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:900V
Descripción:MOSFET N-CH 900V 5A TO-220SIS
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:5A (Ta)
Email:[email protected]

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