Comprar 2SK3075(TE12L,Q) con BYCHPS
Compre con garantía
2SK3075(TE12L,Q)
- Número de pieza:
- 2SK3075(TE12L,Q)
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descripción:
- MOSF RF N CH 30V 5A PW-X
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 16580 Pieces
- Ficha de datos:
- 2SK3075(TE12L,Q).pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para 2SK3075(TE12L,Q), tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para 2SK3075(TE12L,Q) por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Voltaje - Prueba: | 9.6V |
|---|---|
| Tensión - Calificación: | 30V |
| Tipo de transistor: | N-Channel |
| Paquete del dispositivo: | PW-X |
| Serie: | - |
| Alimentación - Salida: | 7.5W |
| embalaje: | Cut Tape (CT) |
| Paquete / Cubierta: | TO-271AA |
| Otros nombres: | 2SK3075(TE12LQ)CT |
| Figura de ruido: | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | 2SK3075(TE12L,Q) |
| Ganancia: | 11.7dB |
| Frecuencia: | 520MHz |
| Descripción ampliada: | RF Mosfet N-Channel 9.6V 50mA 520MHz 11.7dB 7.5W PW-X |
| Descripción: | MOSF RF N CH 30V 5A PW-X |
| Valoración actual: | 5A |
| Corriente - Prueba: | 50mA |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de 2SK3075(TE12L,Q)
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
2SK3078A(TE12L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | FET RF N-CH 10V 470 MHZ PW-MINI | Investigación |
 |
PTFA142401ELV4XWSA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 240W H-33288-2 | Investigación |
 |
MRF8P20165WHR3 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 2.01GHZ NI780-4 | Investigación |
 |
PD85035STR1-E | STMicroelectronics | TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF | Investigación |
|
2SK3074TE12LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSF RF N CH 30V 1A PW-MINI | Investigación |
 |
2SK3079ATE12LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSF RF N CH 10V PW-X | Investigación |
 |
PTFA091201EV4R0XTMA1 | Infineon Technologies | RF MOSFET LDMOS 28V H-36248-2 | Investigación |
 |
2SK4037(TE12L,Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH PW-X | Investigación |
 |
MRF5S9150HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 880MHZ NI-780S | Investigación |
 |
2SK3068(TE24L,Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 500V 12A TO220SM | Investigación |
|
PTFB090901FAV2R0XTMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS H-37265-2 | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers