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2SK2845(TE16L1,Q)
- Número de pieza:
- 2SK2845(TE16L1,Q)
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET N-CH 900V 1A DP
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 14363 Pieces
- Ficha de datos:
- 1.2SK2845(TE16L1,Q).pdf2.2SK2845(TE16L1,Q).pdf
Introducción
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Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 4V @ 1mA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | DP |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 9 Ohm @ 500mA, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 40W (Tc) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Temperatura de funcionamiento: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | 2SK2845(TE16L1,Q) |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 350pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 15nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 900V 1A (Ta) 40W (Tc) Surface Mount DP |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 900V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 900V 1A DP |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 1A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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