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2SJ380(F)
- Número de pieza:
- 2SJ380(F)
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET P-CH 100V 12A TO220NIS
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 18271 Pieces
- Ficha de datos:
- 1.2SJ380(F).pdf2.2SJ380(F).pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para 2SJ380(F), tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para 2SJ380(F) por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 2V @ 1mA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | TO-220NIS |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 210 mOhm @ 6A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 35W (Tc) |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-220-3 Full Pack |
| Temperatura de funcionamiento: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | 2SJ380(F) |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1100pF @ 10V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 48nC @ 10V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | P-Channel 100V 12A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220NIS |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 100V |
| Descripción: | MOSFET P-CH 100V 12A TO220NIS |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 12A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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