2SJ162-E
2SJ162-E
Número de pieza:
2SJ162-E
Fabricante:
Renesas Electronics America
Descripción:
MOSFET P-CH 160V 7A TO-3P
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18968 Pieces
Ficha de datos:
2SJ162-E.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:-
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-3P
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:-
La disipación de energía (máximo):100W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-3P-3, SC-65-3
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:2SJ162-E
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:900pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:-
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 160V 7A (Ta) 100W (Tc) Through Hole TO-3P
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:160V
Descripción:MOSFET P-CH 160V 7A TO-3P
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:7A (Ta)
Email:[email protected]

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