Comprar 2SJ162-E con BYCHPS
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VGS (th) (Max) @Id: | - |
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Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo: | TO-3P |
Serie: | - |
RDS (Max) @Id, Vgs: | - |
La disipación de energía (máximo): | 100W (Tc) |
embalaje: | Tube |
Paquete / Cubierta: | TO-3P-3, SC-65-3 |
Temperatura de funcionamiento: | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Through Hole |
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
Número de pieza del fabricante: | 2SJ162-E |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 900pF @ 10V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | - |
Tipo FET: | P-Channel |
Característica de FET: | - |
Descripción ampliada: | P-Channel 160V 7A (Ta) 100W (Tc) Through Hole TO-3P |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 160V |
Descripción: | MOSFET P-CH 160V 7A TO-3P |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 7A (Ta) |
Email: | [email protected] |