2SD1801S-E
2SD1801S-E
Número de pieza:
2SD1801S-E
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
TRANS NPN 50V 2A TP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18312 Pieces
Ficha de datos:
2SD1801S-E.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - Colector-emisor (máx):50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic:400mV @ 50mA, 1A
Tipo de transistor:NPN
Paquete del dispositivo:TP
Serie:-
Potencia - Max:800mW
embalaje:Bulk
Paquete / Cubierta:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:2 Weeks
Número de pieza del fabricante:2SD1801S-E
Frecuencia - Transición:150MHz
Descripción ampliada:Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 2A 150MHz 800mW Through Hole TP
Descripción:TRANS NPN 50V 2A TP
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce:140 @ 100mA, 2V
Corriente - corte del colector (Max):100nA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max):2A
Email:[email protected]

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