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2SD1012G-SPA
- Número de pieza:
- 2SD1012G-SPA
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descripción:
- TRANS NPN 15V 0.7A SPA
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 12503 Pieces
- Ficha de datos:
- 2SD1012G-SPA.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para 2SD1012G-SPA, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para 2SD1012G-SPA por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - Colector-emisor (máx): | 15V |
|---|---|
| VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic: | 80mV @ 10mA, 100mA |
| Tipo de transistor: | NPN |
| Paquete del dispositivo: | 3-SPA |
| Serie: | - |
| Potencia - Max: | 250mW |
| embalaje: | Bulk |
| Paquete / Cubierta: | 3-SIP |
| Temperatura de funcionamiento: | 125°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | 2SD1012G-SPA |
| Frecuencia - Transición: | 250MHz |
| Descripción ampliada: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 15V 700mA 250MHz 250mW Through Hole 3-SPA |
| Descripción: | TRANS NPN 15V 0.7A SPA |
| DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce: | 280 @ 50mA, 2V |
| Corriente - corte del colector (Max): | 1µA (ICBO) |
| Corriente - colector (Ic) (Max): | 700mA |
| Email: | [email protected] |
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