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2SC6017-E
- Número de pieza:
- 2SC6017-E
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descripción:
- TRANS NPN 50V 10A TP
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 16602 Pieces
- Ficha de datos:
- 2SC6017-E.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para 2SC6017-E, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para 2SC6017-E por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - Colector-emisor (máx): | 50V |
|---|---|
| VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic: | 360mV @ 250mA, 5A |
| Tipo de transistor: | NPN |
| Paquete del dispositivo: | TP |
| Serie: | - |
| Potencia - Max: | 950mW |
| embalaje: | Bulk |
| Paquete / Cubierta: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Otros nombres: | 2SC6017-E-ND 2SC6017-EOS |
| Temperatura de funcionamiento: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 2 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | 2SC6017-E |
| Frecuencia - Transición: | 200MHz |
| Descripción ampliada: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 10A 200MHz 950mW Through Hole TP |
| Descripción: | TRANS NPN 50V 10A TP |
| DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce: | 200 @ 1A, 2V |
| Corriente - corte del colector (Max): | 10µA (ICBO) |
| Corriente - colector (Ic) (Max): | 10A |
| Email: | [email protected] |
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