2SB1457(T6DW,F,M)
2SB1457(T6DW,F,M)
Número de pieza:
2SB1457(T6DW,F,M)
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descripción:
TRANS PNP 2A 100V TO226-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
14626 Pieces
Ficha de datos:
2SB1457(T6DW,F,M).pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - Colector-emisor (máx):100V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic:1.5V @ 1mA, 1A
Tipo de transistor:PNP
Paquete del dispositivo:TO-92MOD
Serie:-
Potencia - Max:900mW
embalaje:Bulk
Paquete / Cubierta:TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Otros nombres:2SB1457(T6DWFM)
2SB1457T6DWFM
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:2SB1457(T6DW,F,M)
Frecuencia - Transición:50MHz
Descripción ampliada:Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 2A 50MHz 900mW Through Hole TO-92MOD
Descripción:TRANS PNP 2A 100V TO226-3
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce:2000 @ 1A, 2V
Corriente - corte del colector (Max):10µA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max):2A
Email:[email protected]

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