2SA1312GRTE85LF
Número de pieza:
2SA1312GRTE85LF
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descripción:
TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16670 Pieces
Ficha de datos:
2SA1312GRTE85LF.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - Colector-emisor (máx):120V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 1mA, 10mA
Tipo de transistor:PNP
Paquete del dispositivo:S-Mini
Serie:-
Potencia - Max:150mW
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Otros nombres:2SA1312-GR (TE85L,F
2SA1312-GR(TE85L,F
2SA1312GRTE85LFTR
Temperatura de funcionamiento:125°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:11 Weeks
Número de pieza del fabricante:2SA1312GRTE85LF
Frecuencia - Transición:100MHz
Descripción ampliada:Bipolar (BJT) Transistor PNP 120V 100mA 100MHz 150mW Surface Mount S-Mini
Descripción:TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce:200 @ 2mA, 6V
Corriente - corte del colector (Max):100nA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

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