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2N7002PM,315
- Número de pieza:
- 2N7002PM,315
- Fabricante:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Descripción:
- MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT-883
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 12574 Pieces
- Ficha de datos:
- 2N7002PM,315.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para 2N7002PM,315, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para 2N7002PM,315 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | - |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | DFN1006-3 |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | - |
| La disipación de energía (máximo): | 250mW (Ta) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | SC-101, SOT-883 |
| Otros nombres: | 934064133315 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | 2N7002PM,315 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | - |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 60V 300mA (Ta) 250mW (Ta) Surface Mount DFN1006-3 |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 60V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT-883 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 300mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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