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2N5551RLRA
- Número de pieza:
- 2N5551RLRA
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descripción:
- TRANS NPN 160V 0.6A TO92
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Contiene plomo / RoHS no conforme
- Cantidad disponible:
- 14584 Pieces
- Ficha de datos:
- 2N5551RLRA.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para 2N5551RLRA, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para 2N5551RLRA por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - Colector-emisor (máx): | 160V |
|---|---|
| VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic: | 200mV @ 5mA, 50mA |
| Tipo de transistor: | NPN |
| Paquete del dispositivo: | TO-92-3 |
| Serie: | - |
| Potencia - Max: | 625mW |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Otros nombres: | 2N5551RLRAOSTR |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | 2N5551RLRA |
| Frecuencia - Transición: | 300MHz |
| Descripción ampliada: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 160V 600mA 300MHz 625mW Through Hole TO-92-3 |
| Descripción: | TRANS NPN 160V 0.6A TO92 |
| DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce: | 80 @ 10mA, 5V |
| Corriente - corte del colector (Max): | 50nA (ICBO) |
| Corriente - colector (Ic) (Max): | 600mA |
| Email: | [email protected] |
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