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2N4339-E3
- Número de pieza:
- 2N4339-E3
- Fabricante:
- Vishay / Siliconix
- Descripción:
- MOSFET N-CH 50V 1.5MA TO-206AA
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 18419 Pieces
- Ficha de datos:
- 2N4339-E3.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Tensión - Cutoff (VGS apagado) @Id: | 600mV @ 100nA |
|---|---|
| Tensión - Breakdown (V (BR) GSS): | 50V |
| Paquete del dispositivo: | TO-206AA (TO-18) |
| Serie: | - |
| Resistencia - RDS (on): | - |
| Potencia - Max: | 300mW |
| embalaje: | Bulk |
| Paquete / Cubierta: | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | 2N4339-E3 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 7pF @ 15V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Descripción ampliada: | JFET N-Channel 500µA @ 15V 300mW Through Hole TO-206AA (TO-18) |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | - |
| Descripción: | MOSFET N-CH 50V 1.5MA TO-206AA |
| Actual - dren (IDSS) @ Vds (Vgs = 0): | 500µA @ 15V |
| Email: | [email protected] |
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