Comprar 2N3819 con BYCHPS
Compre con garantía
2N3819
- Número de pieza:
- 2N3819
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descripción:
- JFET N-CH 25V 100MA TO92
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Contiene plomo / RoHS no conforme
- Cantidad disponible:
- 16526 Pieces
- Ficha de datos:
- 2N3819.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para 2N3819, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para 2N3819 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Voltaje - Prueba: | - |
|---|---|
| Tensión - Calificación: | 25V |
| Tipo de transistor: | N-Channel JFET |
| Paquete del dispositivo: | TO-92-3 |
| Serie: | - |
| Alimentación - Salida: | - |
| embalaje: | Bulk |
| Paquete / Cubierta: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Otros nombres: | 2N3819OS |
| Figura de ruido: | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | 2N3819 |
| Ganancia: | - |
| Frecuencia: | - |
| Descripción ampliada: | RF Mosfet N-Channel JFET TO-92-3 |
| Descripción: | JFET N-CH 25V 100MA TO92 |
| Valoración actual: | 100mA |
| Corriente - Prueba: | - |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de 2N3819
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
CGHV60040D | Cree/Wolfspeed | RF MOSFET HEMT 50V DIE | Investigación |
 |
ON5258,215 | Nexperia USA Inc. | MOSFET RF SOT23 TO-236AB | Investigación |
 |
MRF6P23190HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 2.39GHZ NI-1230 | Investigación |
 |
3SK293(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | FET RF 12.5V 800MHZ USQ | Investigación |
 |
MAGX-000035-030000 | M/A-Com Technology Solutions | TRANSISTOR GAN 30WCW 0.03-3.5GHZ | Investigación |
 |
BG3130H6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363 | Investigación |
 |
BLF6G20S-45,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 19.2DB SOT608B | Investigación |
 |
MRFG35010ANR5 | NXP USA Inc. | FET RF 15V 3.55GHZ NI360HF | Investigación |
 |
BLF8G27LS-100J | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT502B | Investigación |
 |
MRF5S4140HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 465MHZ NI-780 | Investigación |
 |
BF998WR,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 12V 30MA SOT343R | Investigación |
 |
BLC8G22LS-450AVZ | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 14DB SOT12583 | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog