1SS427,L3M
1SS427,L3M
Número de pieza:
1SS427,L3M
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descripción:
DIODE GEN PURP 80V 100MA SOD923
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16884 Pieces
Ficha de datos:
1SS427,L3M.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - directo (Vf) (Max) Si @:1.2V @ 100mA
Voltaje - Inverso (Vr) (máx):80V
Paquete del dispositivo:SOD-923
Velocidad:Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Serie:-
Tiempo de recuperación inversa (trr):1.6ns
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:SOD-923
Otros nombres:1SS427,L3M(B
1SS427,L3M(T
1SS427L3M(BTR
1SS427L3M(BTR-ND
1SS427L3MTR
Temperatura de funcionamiento - Junction:-55°C ~ 150°C
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:16 Weeks
Número de pieza del fabricante:1SS427,L3M
Descripción ampliada:Diode Standard 80V 100mA Surface Mount SOD-923
Tipo de diodo:Standard
Descripción:DIODE GEN PURP 80V 100MA SOD923
Corriente - Fuga inversa a Vr:500nA @ 80V
Corriente - rectificada media (Io):100mA
Capacitancia Vr, F:0.3pF @ 0V, 1MHz
Email:[email protected]

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