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1SS355VMTE-17
- Número de pieza:
- 1SS355VMTE-17
- Fabricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descripción:
- DIODE GEN PURP 80V 100MA UMD2
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 19628 Pieces
- Ficha de datos:
- 1SS355VMTE-17.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para 1SS355VMTE-17, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para 1SS355VMTE-17 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 1.2V @ 100mA |
|---|---|
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 80V |
| Paquete del dispositivo: | UMD2 |
| Velocidad: | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Serie: | - |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | 4ns |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | SC-90, SOD-323F |
| Otros nombres: | 1SS355VMTE-17-ND 1SS355VMTE-17TR 1SS355VMTE17 |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | 150°C (Max) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 10 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | 1SS355VMTE-17 |
| Descripción ampliada: | Diode Standard 80V 100mA Surface Mount UMD2 |
| Tipo de diodo: | Standard |
| Descripción: | DIODE GEN PURP 80V 100MA UMD2 |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 100nA @ 80V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 100mA |
| Capacitancia Vr, F: | 3pF @ 0.5V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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