1N8028-GA
1N8028-GA
Número de pieza:
1N8028-GA
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
Descripción:
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 9.4A TO257
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Contiene plomo / RoHS no conforme
Cantidad disponible:
15363 Pieces
Ficha de datos:
1N8028-GA.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - directo (Vf) (Max) Si @:1.6V @ 10A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx):1200V (1.2kV)
Paquete del dispositivo:TO-257
Velocidad:No Recovery Time > 500mA (Io)
Serie:-
Tiempo de recuperación inversa (trr):0ns
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-257-3
Otros nombres:1242-1115
1N8028GA
Temperatura de funcionamiento - Junction:-55°C ~ 250°C
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:18 Weeks
Número de pieza del fabricante:1N8028-GA
Descripción ampliada:Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 9.4A (DC) Through Hole TO-257
Tipo de diodo:Silicon Carbide Schottky
Descripción:DIODE SCHOTTKY 1.2KV 9.4A TO257
Corriente - Fuga inversa a Vr:20µA @ 1200V
Corriente - rectificada media (Io):9.4A (DC)
Capacitancia Vr, F:884pF @ 1V, 1MHz
Email:[email protected]

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