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1N6479-E3/97
- Número de pieza:
- 1N6479-E3/97
- Fabricante:
- Vishay / Semiconductor - Diodes Division
- Descripción:
- DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 18097 Pieces
- Ficha de datos:
- 1.1N6479-E3/97.pdf2.1N6479-E3/97.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para 1N6479-E3/97, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para 1N6479-E3/97 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 1.1V @ 1A |
|---|---|
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 100V |
| Paquete del dispositivo: | DO-213AB |
| Velocidad: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Serie: | SUPERECTIFIER® |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | DO-213AB, MELF (Glass) |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | -65°C ~ 175°C |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 21 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | 1N6479-E3/97 |
| Descripción ampliada: | Diode Standard 100V 1A Surface Mount DO-213AB |
| Tipo de diodo: | Standard |
| Descripción: | DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 10µA @ 100V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 1A |
| Capacitancia Vr, F: | 8pF @ 4V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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