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1N6109US
- Número de pieza:
- 1N6109US
- Fabricante:
- Microsemi
- Descripción:
- TVS DIODE 9.9VWM 19.11VC SQMELF
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Contiene plomo / RoHS no conforme
- Cantidad disponible:
- 17494 Pieces
- Ficha de datos:
- 1N6109US.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para 1N6109US, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para 1N6109US por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - separación inverso (típico): | 9.9V |
|---|---|
| Tensión - Apriete (Máx.) @ Ipp: | 19.11V |
| Voltaje - Desglose (Min): | 11.73V |
| Tipo: | Zener |
| Paquete del dispositivo: | B, SQ-MELF |
| Serie: | - |
| Protección de la línea eléctrica: | No |
| Potencia - Pico de pulso: | 500W |
| embalaje: | Bulk |
| Paquete / Cubierta: | SQ-MELF, B |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 17 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | 1N6109US |
| Descripción: | TVS DIODE 9.9VWM 19.11VC SQMELF |
| Corriente - Pico de pulso (10 / 1000μs): | 26.13A |
| Capacitancia Frecuencia: | - |
| Canales bidireccionales: | 1 |
| aplicaciones: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
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