1N5616US
1N5616US
Número de pieza:
1N5616US
Fabricante:
Microsemi
Descripción:
DIODE GEN PURP 400V 1A D5A
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Contiene plomo / RoHS no conforme
Cantidad disponible:
19310 Pieces
Ficha de datos:
1N5616US.pdf

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para 1N5616US, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para 1N5616US por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Comprar 1N5616US con BYCHPS
Compre con garantía

Especificaciones

Tensión - directo (Vf) (Max) Si @:1.3V @ 3A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx):400V
Paquete del dispositivo:D-5A
Velocidad:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie:-
Tiempo de recuperación inversa (trr):2µs
embalaje:Bulk
Paquete / Cubierta:SQ-MELF, A
Temperatura de funcionamiento - Junction:-65°C ~ 200°C
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:7 Weeks
Número de pieza del fabricante:1N5616US
Descripción ampliada:Diode Standard 400V 1A Surface Mount D-5A
Tipo de diodo:Standard
Descripción:DIODE GEN PURP 400V 1A D5A
Corriente - Fuga inversa a Vr:500nA @ 400V
Corriente - rectificada media (Io):1A
Capacitancia Vr, F:-
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios