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1N5407-E3/51
- Número de pieza:
- 1N5407-E3/51
- Fabricante:
- Vishay / Semiconductor - Diodes Division
- Descripción:
- DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 16380 Pieces
- Ficha de datos:
- 1N5407-E3/51.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para 1N5407-E3/51, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para 1N5407-E3/51 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 1.2V @ 3A |
|---|---|
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 800V |
| Paquete del dispositivo: | DO-201AD |
| Velocidad: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Serie: | - |
| embalaje: | Bulk |
| Paquete / Cubierta: | DO-201AD, Axial |
| Otros nombres: | 1N5407-E3/1 1N5407-E3/1-ND 1N5407-E3/1GI 1N5407-E3/1GI-ND 1N5407-E3/1TR 1N5407-E3/1TR-ND 1N5407-E3/51GI |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | -50°C ~ 150°C |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Número de pieza del fabricante: | 1N5407-E3/51 |
| Descripción ampliada: | Diode Standard 800V 3A Through Hole DO-201AD |
| Tipo de diodo: | Standard |
| Descripción: | DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 5µA @ 800V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 3A |
| Capacitancia Vr, F: | 30pF @ 4V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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