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1N4448 TR
- Número de pieza:
- 1N4448 TR
- Fabricante:
- Central Semiconductor
- Descripción:
- DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 12099 Pieces
- Ficha de datos:
- 1N4448 TR.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para 1N4448 TR, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para 1N4448 TR por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 720mV @ 5mA |
|---|---|
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 100V |
| Paquete del dispositivo: | DO-35 |
| Velocidad: | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Serie: | - |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | 4ns |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | DO-204AH, DO-35, Axial |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | -65°C ~ 200°C |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | 1N4448 TR |
| Descripción ampliada: | Diode Standard 100V 150mA Through Hole DO-35 |
| Tipo de diodo: | Standard |
| Descripción: | DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35 |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 25nA @ 20V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 150mA |
| Capacitancia Vr, F: | 4pF @ 0V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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